IPD088N06N3 G
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Infineon Technologies IPD088N06N3 G
| Artikelnummer: | IPD088N06N3 G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IPD088N06N3 G Infineon Technologies |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Infineon Technologies IPD088N06N3 G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPD088N06N3 G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 34µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 mOhm @ 50A, 10V Verlustleistung (max) 71W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) IPD088N06N3 G Einzelheiten PDF [English] IPD088N06N3 G PDF - EN.pdf -
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